Em 2008, a linha de produção da bolacha do carboneto de silicone de 2 polegadas terminou com sucesso a eliminação de erros técnica, agora ele realiza o R & o D e a fabricação de bolachas de 6 polegadas sic para o SBD, o pino, o MOSFET e os outros dispositivos.

PAM-XIAMEN avançou internacionalmente a fornalha epitaxial do MOCVD e o equipamento epitaxial da caracterização, 6 avança a linha de produção da microplaqueta do semicondutor composto, a bolacha no sistema de detecção da microplaqueta, o sistema de testes da confiança e o sistema de desenvolvimento de aplicações.: os materiais da carcaça do semicondutor do nitreto do gálio (GAN), a carcaça GaN/AI2O3 composta, cristal de GaN carcaça do único e equipamento (HVPE) da epitaxia da fase de vapor do hidruro, etc. a capacidade de produção mensal de 150 milímetros GaN em bolachas epitaxial do si alcançam 800wafers, e 4-8 a polegada GaN em sic/bolachas epitaxial da safira foi produzida com sucesso. A bolacha epitaxial mantém a qualidade de cristal alta, a uniformidade alta e a confiança alta dos materiais epitaxial, que podem inteiramente cumprir as exigências da aplicação de dispositivos eletrónicos de alta tensão do poder na indústria.

PAM-XIAMEN esteve em uma produção em massa de bolachas epitaxial silicone-baseadas V de um GaN de 6 polegadas 650 para a eletrônica de poder, que são usadas principalmente na gestão do poder, inversor solar, veículo elétrico e movimentação industrial do motor e outros campos. No campo da micro-ondas e da radiofrequência, a empresa realizou o desenvolvimento de materiais epitaxial silicone-baseados do nitreto do gálio, o R & D e a preparação industrial de bolachas da radiofrequência foram lançados igualmente.