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| Lugar de origem: | China |
| Marca: | PAM-XIAMEN |
| Quantidade de ordem mínima: | 1-10,000pcs |
|---|---|
| Preço: | By Case |
| Tempo de entrega: | 5-50 dias de trabalho |
| Termos de pagamento: | T/T. |
| Habilidade da fonte: | 10.000 bolachas/mês |
| nome: | Bolacha semi de isolamento do carboneto de silicone | Grau: | Categoria da pesquisa |
|---|---|---|---|
| Descrição: | SEMI carcaça 4H | Tamanho: | 10mm x 10mm |
| Palavras-chave: | bolacha do único cristal sic | Aplicação: | Indústria eletrônica |
| Comprimento liso preliminar: | ± 16,00 1,70 milímetros | Comprimento liso secundário: | ± 8,00 1,70 milímetros |
| Realçar: | semi standard wafer,sic wafer |
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carcaça de silicone 4H deisolamento, categoria da pesquisa, 10mm x 10mm
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PROPRIEDADES MATERIAIS DE CARBONETO DE SILICONE
| Polytype | Único cristal 4H | Único cristal 6H |
| Parâmetros da estrutura | a=3.076 Å | a=3.073 Å |
| c=10.053 Å | c=15.117 Å | |
| Empilhando a sequência | ABCB | ABCACB |
| Faixa-Gap | eV 3,26 | eV 3,03 |
| Densidade | 3,21 · 103 kg/m3 | 3,21 · 103 kg/m3 |
| Therm. Coeficiente da expansão | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Índice da refração | nenhuns = 2,719 | nenhuns = 2,707 |
| ne = 2,777 | ne = 2,755 | |
| Constante dielétrica | 9,6 | 9,66 |
| Condutibilidade térmica | 490 W/mK | 490 W/mK |
| Campo bonde da divisão | 2-4 · 108 V/m | 2-4 · 108 V/m |
| Velocidade de tração da saturação | 2,0 · 105 m/s | 2,0 · 105 m/s |
| Mobilidade de elétron | 800 cm2/V·S | 400 cm2/V·S |
| mobilidade de furo | 115 cm2/V·S | 90 cm2/V·S |
| Dureza de Mohs | ~9 | ~9 |
carcaça de silicone 4H deisolamento, categoria da pesquisa, 10mm x 10mm
| PROPRIEDADE DA CARCAÇA | S4H-51-SI-PWAM-250 S4H-51-SI-PWAM-330 S4H-51-SI-PWAM-430 |
| Descrição | Carcaça da categoria 4Hda pesquisaSEMI |
| Polytype | 4H |
| Diâmetro | (50,8 ± 0,38) milímetro |
| Espessura | (250 ± 25) μm do μm do μm (330 ± 25) (430 ± 25) |
| Resistividade (RT) | >1E5 Ω·cm |
| Aspereza de superfície | < 0=""> |
| FWHM | <50 arcsec=""> |
| Densidade de Micropipe | A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 |
| Orientação de superfície | |
| No ± <0001>0.5° da linha central | |
| Fora da linha central 3.5° para <11-20>o ± 0.5° | |
| Orientação lisa preliminar | Paralelize o ± 5° {de 1-100} |
| Comprimento liso preliminar | ± 16,00 1,70 milímetros |
| Si-cara lisa secundária da orientação: 90° cw. do ± liso 5° da orientação | |
| C-cara: ccw de 90°. do ± liso 5° da orientação | |
| Comprimento liso secundário | ± 8,00 1,70 milímetros |
| Revestimento de superfície | Cara simples ou duplo lustrada |
| Empacotamento | Única caixa da bolacha ou multi caixa da bolacha |
| Área útil | ≥ 90% |
| Exclusão da borda | 1 milímetro |
Propriedades do único cristal sic
Aqui nós comparamos a propriedade do carboneto de silicone, incluir sextavado sic, CubicSiC, único cristal sic.
Propriedade do do carboneto de silicone (sic)
Comparação da propriedade do carboneto de silicone, incluir sextavado sic, cúbico sic, único cristal sic:
| Propriedade | Valor | Circunstâncias |
| Densidade | 3217 kg/m^3 | sextavado |
| Densidade | 3210 kg/m^3 | cúbico |
| Densidade | 3200 kg/m^3 | Único cristal |
| Dureza, Knoop (KH) | 2960 kg/mm/mm | 100g, cerâmico, preto |
| Dureza, Knoop (KH) | 2745 kg/mm/mm | 100g, cerâmico, verde |
| Dureza, Knoop (KH) | 2480 kg/mm/mm | Único cristal. |
| Módulo Young | 700 GPa | Único cristal. |
| Módulo Young | 410,47 GPa | Cerâmico, density=3120 kg/m/m/m, na temperatura ambiente |
| Módulo Young | 401,38 GPa | Cerâmico, density=3128 kg/m/m/m, na temperatura ambiente |
| Condutibilidade térmica | 350 W/m/K | Único cristal. |
| Força de rendimento | 21 GPa | Único cristal. |
| Capacidade de calor | 1,46 J/mol/K | Cerâmico, em temp=1550 C. |
| Capacidade de calor | 1,38 J/mol/K | Cerâmico, em temp=1350 C. |
| Capacidade de calor | 1,34 J/mol/K | Cerâmico, em temp=1200 C. |
| Capacidade de calor | 1,25 J/mol/K | Cerâmico, em temp=1000 C. |
| Capacidade de calor | 1,13 J/mol/K | Cerâmico, em temp=700 C. |
| Capacidade de calor | 1,09 J/mol/K | Cerâmico, em temp=540 C. |
| Resistividade elétrica | 1. 1e+10 Ω*m | Cerâmico, em temp=20 C |
| Força compressiva | 0,5655. 1,3793 GPa | Cerâmico, em temp=25 C |
| Módulo da ruptura | 0,2897 GPa | Cerâmico, com 1 WT % B aditivo |
| Módulo da ruptura | 0,1862 GPa | Ceramifc, na temperatura ambiente |
| A relação de Poisson | 0,183. 0,192 | Cerâmico, na temperatura ambiente, density=3128 kg/m/m/m |
| Módulo da ruptura | 0,1724 GPa | Cerâmico, em temp=1300 C |
| Módulo da ruptura | 0,1034 GPa | Cerâmico, em temp=1800 C |
| Módulo da ruptura | 0,07586 GPa | Cerâmico, em temp=1400 C |
| Resistência à tração | 0,03448. 0,1379 GPa | Cerâmico, em temp=25 C |
* referência: Manual da ciência e da engenharia de materiais do centro de detecção e de controlo
Comparação da propriedade do único cristal sic, do 6H e do 4H:
| Propriedade | Único cristal 4H | Único cristal 6H |
| Parâmetros da estrutura | a=3.076 Å | a=3.073 Å |
| c=10.053 Å | c=15.117 Å | |
| Empilhando a sequência | ABCB | ABCACB |
| Faixa-Gap | eV 3,26 | eV 3,03 |
| Densidade | 3,21 · 103 kg/m3 | 3,21 · 103 kg/m3 |
| Therm. Coeficiente da expansão | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Índice da refração | nenhuns = 2,719 | nenhuns = 2,707 |
| ne = 2,777 | ne = 2,755 | |
| Constante dielétrica | 9,6 | 9,66 |
| Condutibilidade térmica | 490 W/mK | 490 W/mK |
| Campo bonde da divisão | 2-4 · 108 V/m | 2-4 · 108 V/m |
| Velocidade de tração da saturação | 2,0 · 105 m/s | 2,0 · 105 m/s |
| Mobilidade de elétron | 800 cm2/V·S | 400 cm2/V·S |
| mobilidade de furo | 115 cm2/V·S | 90 cm2/V·S |
| Dureza de Mohs | ~9 | ~9 |
* referência: Material avançado Co. de Xiamen Powerway, Ltd.
Comparação da propriedade de 3C-SiC, de 4H-SiC e de 6H-SiC:
| SIC Polytype | 3C-SiC | 4H-SiC | 6H-SiC |
| Estrutura de cristal | Blenda de zinco (cúbica) | Wurtzite (sextavado) | Wurtzite (sextavado) |
| Grupo de simetria | T2d-F43m | C46v-P63mc | C46v-P63mc |
| Módulo de maioria | cm2 de 2,5 x 1012 dyn | cm2 de 2,2 x 1012 dyn | cm2 de 2,2 x 1012 dyn |
| Coeficiente linear da expansão térmica | 2,77 (42) x 10-6 K-1 | ||
| Temperatura de Debye | K 1200 | K 1300 | K 1200 |
| Ponto de derretimento | 3103 (40) K | 3103 ± 40 K | 3103 ± 40 K |
| Densidade | 3,166 g cm-3 | 3,21 g cm-3 | 3,211 g cm-3 |
| Dureza | 9.2-9.3 | 9.2-9.3 | 9.2-9.3 |
| Microhardness de superfície | 2900-3100 quilogramas mm-2 | 2900-3100 quilogramas mm-2 | 2900-3100 quilogramas mm-2 |
| Constante dielétrica (estática) | ε0 ~= 9,72 | O valor da constante 6H-SiC dielétrica é usado geralmente | ε0, ~= 9,66 do ort |
| R.I. infravermelho | ~=2.55 | ~=2.55 (linha central de c) | ~=2.55 (linha central de c) |
| R.I. n (λ) | ~= 2,55378 + 3,417 x 104 de n (λ)·λ-2 | (λ) ~= n0 2,5610 + 3,4 x 104·λ-2 | (λ) ~= n0 2,55531 + 3,34 x 104·λ-2 |
| ~= 2,6041 + 3,75 x 104 do ne (λ)·λ-2 | ~= 2,5852 + 3,68 x 104 do ne (λ)·λ-2 | ||
| Coeficiente Radiative da recombinação | 1,5 x 10-12 cm3/s | 1,5 x 10-12 cm3/s | |
| Energia ótica do fotão | meV 102,8 | meV 104,2 | meV 104,2 |
| Massa de elétron eficaz ml (longitudinal) | 0.68mo | 0.677(15) mo | 0.29mo |
| Massa de elétron eficaz mt (transversal) | 0.25mo | 0.247(11) mo | 0.42mo |
| Massa eficaz da densidade do mcd dos estados | 0.72mo | 0.77mo | 2.34mo |
| Massa eficaz da densidade dos estados em um vale da faixa de condução mc | 0.35mo | 0.37mo | 0.71mo |
| Massa eficaz da condutibilidade CCM | 0.32mo | 0.36mo | 0.57mo |
| Massa eficaz do salão da densidade do estado milivolt? | 0,6 mo | ~1,0 mo | ~1,0 mo |
| Constante da estrutura | a=4.3596 A | a = 3,0730 A | a = 3,0730 A |
| b = 10,053 | b = 10,053 |
Propriedades sic materiais
Os materiais do CARBONETO de SILICONE (sic) estão metamorfoseando atualmente da investigação e desenvolvimento em um produto de fabricação conduzido mercado. As carcaças são usadas sic atualmente como a base para uma grande fração da produção mundial de diodos luminescentes verdes, azuis, e ultravioletas (LEDs). Os mercados emergentes para sic homoepitaxy incluem dispositivos de alta potência do interruptor e dispositivos da micro-ondas para a faixa de S e de X. Os pedidos para estruturas GaN-baseadas heteroepitaxial sic em carcaças incluem o diodo emissor de luz e os dispositivos da micro-ondas. Estes resultados emocionantes do dispositivo provêm primeiramente da exploração das propriedades elétricas e thermophysical originais oferecidas pelo comparado sic ao si e ao GaAs. Entre estes seja: um grande bandgap para a resistência de alta temperatura da operação e de radiação; campo crítico alto da divisão para a saída de alta potência; velocidade saturada elevação do elétron para a operação de alta frequência; condutibilidade significativamente mais altamente térmica para a gestão térmica de dispositivos de alta potência.
Sobre nós
A responsabilidade é a segurança da qualidade, e a qualidade é a vida do corporaçõ. Nós estamos olhando para a frente à cooperação a longo prazo com os clientes, nós faremos o melhor serviço e após o serviço de vendas para todos nossos clientes. Se você tem qualquer inquérito, por favor não hesite contactar-nos. Nós respondê-lo-emos na primeira vez como nós podemos.
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Pureza alta da bolacha do fosforeto de índio do único cristal categoria de uma prima de 4 polegadas
