Semi isolando sic a categoria 10mmx10mm do manequim da carcaça 6H do carboneto de silicone

6H queisola sic a carcaça, categoria do manequim, 10mm x 10mm
 

Crescimento sic de cristal

O crescimento de cristal maioria é a técnica para a fabricação de carcaças monocristalinas, fazendo a base para um processamento mais adicional do dispositivo. Para ter uma descoberta sic na tecnologia obviamente nós precisamos a produção sic de carcaça com um process.6H- reprodutível e os cristais 4H- são crescidos sic em uns cadinhos da grafite em altas temperaturas até 2100-2500°C. que a temperatura de funcionamento no cadinho é fornecida pelo aquecimento indutivo (RF) ou resistive. O crescimento ocorre sic em sementes finas. A fonte representa sic a carga policristalina do pó. Sic o vapor na câmara de crescimento consiste principalmente em três espécies, a saber, si, Si2C, e SiC2, que são diluídos pelo gás de portador, por exemplo, argônio. Sic a evolução da fonte inclui a variação de tempo da porosidade e do diâmetro do grânulo e o graphitization dos grânulo do pó.

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PROPRIEDADES MATERIAIS DE CARBONETO DE SILICONE

PAM-XIAMEN fornece a bolacha de alta qualidade do único cristal sic (carboneto de silicone) para a indústria eletrônica e optoelectronic. Sic a bolacha é propriedades elétricas originais de um materialwith do semicondutor da próxima geração e propriedades térmicas excelentes para a aplicação do dispositivo da alta temperatura e de poder superior. Sic a bolacha pode ser fornecida no diâmetro 2~6 polegadas, 4H e 6H sic, N-tipo, nitrogênio lubrificado, e tipo deisolamento disponível.
 

6H queisola sic a carcaça, categoria do manequim, 10mm x 10mm

Sic isoladores: Óxidos térmicos e tecnologia do MOS

A grande maioria de microplaquetas de circuito semicondutor-integradas no uso confia hoje no metal-óxido do silicone

transistor do efeito de campo do semicondutor (MOSFETs), cujos vantagens eletrônicas e operacional

a física do dispositivo é resumida no capítulo de Katsumata e em outra parte. Dado o extremo

a utilidade e o sucesso do canal da inversão MOSFET-basearam a eletrônica no silicone do VLSI (assim como

dispositivos de poder discretos do silicone), é naturalmente desejável executar a inversão de capacidade elevada

MOSFETs do canal dentro sic. Como o silicone, forma sic um thermal  quando é aquecido suficientemente no

ambiente do oxigênio. Quando isto permitir sic a tecnologia do MOS de seguir um tanto o altamente bem sucedido

o trajeto da tecnologia do MOS do silicone, lá é não obstante diferenças importantes na qualidade do isolador e

processamento do dispositivo que está impedindo presentemente que sic os MOSFETs realizem seu benéfico completo

potencial. Quando o seguinte discurso tentar destacar rapidamente as questões básicas que enfrentam sic o MOSFET

o desenvolvimento, umas introspecções mais detalhadas pode ser encontrado nas referências 133-142.
 
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