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| Lugar de origem: | China |
| Marca: | PAM-XIAMEN |
| Quantidade de ordem mínima: | 1-10,000pcs |
|---|---|
| Preço: | By Case |
| Tempo de entrega: | 5-50 dias de trabalho |
| Termos de pagamento: | T/T. |
| Habilidade da fonte: | 10.000 bolachas/mês |
| Grau: | Produção | nome: | bolacha do carboneto de silicone do semicondutor |
|---|---|---|---|
| Aplicação: | pesquisador | Descrição: | SIC bolacha do carboneto de silicone |
| Tamanho: | 10mm x 10mm | Palavras-chave: | sic bolacha |
| Resistividade (RT): | 0,012 – 0,0028 Ω·cm | Comprimento liso secundário: | ± 8,00 1,70 milímetros |
| Realçar: | 4h sic wafer,sic wafer |
||
Em-linha central ou tipo sic material de 4deg.Off 4H N da bolacha, categoria da produção, 10mm x 10mm
Mostra aqui a especificação de detalhe:
PROPRIEDADES MATERIAIS DE CARBONETO DE SILICONE
| Polytype | Único cristal 4H | Único cristal 6H |
| Parâmetros da estrutura | a=3.076 Å | a=3.073 Å |
| c=10.053 Å | c=15.117 Å | |
| Empilhando a sequência | ABCB | ABCACB |
| Faixa-Gap | eV 3,26 | eV 3,03 |
| Densidade | 3,21 · 103 kg/m3 | 3,21 · 103 kg/m3 |
| Therm. Coeficiente da expansão | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Índice da refração | nenhuns = 2,719 | nenhuns = 2,707 |
| ne = 2,777 | ne = 2,755 | |
| Constante dielétrica | 9,6 | 9,66 |
| Condutibilidade térmica | 490 W/mK | 490 W/mK |
| Campo bonde da divisão | 2-4 · 108 V/m | 2-4 · 108 V/m |
| Velocidade de tração da saturação | 2,0 · 105 m/s | 2,0 · 105 m/s |
| Mobilidade de elétron | 800 cm2/V·S | 400 cm2/V·S |
| mobilidade de furo | 115 cm2/V·S | 90 cm2/V·S |
| Dureza de Mohs | ~9 | ~9 |
tipo sic bolacha de 4H N, categoria da produção, 10mm x 10mm
| PROPRIEDADE DA CARCAÇA | S4H-51-N-PWAM-330 S4H-51-N-PWAM-430 | |
| Descrição | Carcaça da categoria 4H da produção sic | |
| Polytype | 4H | |
| Diâmetro | (50,8 ± 0,38) milímetro | |
| Espessura | (250 ± 25) μm do μm do μm (330 ± 25) (430 ± 25) | |
| Tipo do portador | n-tipo | |
| Entorpecente | Nitrogênio | |
| Resistividade (RT) | 0,012 – 0,0028 Ω·cm | |
| Aspereza de superfície | < 0=""> | |
| FWHM | <30 arcsec=""> | |
| Densidade de Micropipe | A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 | |
| Orientação de superfície | ||
| Na linha central | <0001>± 0.5° | |
| Fora da linha central | 4°or 8° para <11-20>o ± 0.5° | |
| Orientação lisa preliminar | ± 5° da paralela {1-100} | |
| Comprimento liso preliminar | ± 16,00 1,70) milímetro | |
| Orientação lisa secundária | Si-cara: 90° cw. do ± liso 5° da orientação | |
| C-cara: ccw de 90°. do ± liso 5° da orientação | ||
| Comprimento liso secundário | ± 8,00 1,70 milímetros | |
| Revestimento de superfície | Cara simples ou duplo lustrada | |
| Empacotamento | Única caixa da bolacha ou multi caixa da bolacha | |
| Área útil | ≥ 90% | |
| Exclusão da borda | 1 milímetro | |
Propriedades do único cristal sic
Aqui nós comparamos a propriedade do carboneto de silicone, incluir sextavado sic, CubicSiC, único cristal sic.
Propriedade do do carboneto de silicone (sic)
Comparação da propriedade do carboneto de silicone, incluir sextavado sic, cúbico sic, único cristal sic:
| Propriedade | Valor | Circunstâncias |
| Densidade | 3217 kg/m^3 | sextavado |
| Densidade | 3210 kg/m^3 | cúbico |
| Densidade | 3200 kg/m^3 | Único cristal |
| Dureza, Knoop (KH) | 2960 kg/mm/mm | 100g, cerâmico, preto |
| Dureza, Knoop (KH) | 2745 kg/mm/mm | 100g, cerâmico, verde |
| Dureza, Knoop (KH) | 2480 kg/mm/mm | Único cristal. |
| Módulo Young | 700 GPa | Único cristal. |
| Módulo Young | 410,47 GPa | Cerâmico, density=3120 kg/m/m/m, na temperatura ambiente |
| Módulo Young | 401,38 GPa | Cerâmico, density=3128 kg/m/m/m, na temperatura ambiente |
| Condutibilidade térmica | 350 W/m/K | Único cristal. |
| Força de rendimento | 21 GPa | Único cristal. |
| Capacidade de calor | 1,46 J/mol/K | Cerâmico, em temp=1550 C. |
| Capacidade de calor | 1,38 J/mol/K | Cerâmico, em temp=1350 C. |
| Capacidade de calor | 1,34 J/mol/K | Cerâmico, em temp=1200 C. |
| Capacidade de calor | 1,25 J/mol/K | Cerâmico, em temp=1000 C. |
| Capacidade de calor | 1,13 J/mol/K | Cerâmico, em temp=700 C. |
| Capacidade de calor | 1,09 J/mol/K | Cerâmico, em temp=540 C. |
| Resistividade elétrica | 1. 1e+10 Ω*m | Cerâmico, em temp=20 C |
| Força compressiva | 0,5655. 1,3793 GPa | Cerâmico, em temp=25 C |
| Módulo da ruptura | 0,2897 GPa | Cerâmico, com 1 WT % B aditivo |
| Módulo da ruptura | 0,1862 GPa | Ceramifc, na temperatura ambiente |
| A relação de Poisson | 0,183. 0,192 | Cerâmico, na temperatura ambiente, density=3128 kg/m/m/m |
| Módulo da ruptura | 0,1724 GPa | Cerâmico, em temp=1300 C |
| Módulo da ruptura | 0,1034 GPa | Cerâmico, em temp=1800 C |
| Módulo da ruptura | 0,07586 GPa | Cerâmico, em temp=1400 C |
| Resistência à tração | 0,03448. 0,1379 GPa | Cerâmico, em temp=25 C |
* referência: Manual da ciência e da engenharia de materiais do centro de detecção e de controlo
Comparação da propriedade do único cristal sic, do 6H e do 4H:
| Propriedade | Único cristal 4H | Único cristal 6H |
| Parâmetros da estrutura | a=3.076 Å | a=3.073 Å |
| c=10.053 Å | c=15.117 Å | |
| Empilhando a sequência | ABCB | ABCACB |
| Faixa-Gap | eV 3,26 | eV 3,03 |
| Densidade | 3,21 · 103 kg/m3 | 3,21 · 103 kg/m3 |
| Therm. Coeficiente da expansão | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Índice da refração | nenhuns = 2,719 | nenhuns = 2,707 |
| ne = 2,777 | ne = 2,755 | |
| Constante dielétrica | 9,6 | 9,66 |
| Condutibilidade térmica | 490 W/mK | 490 W/mK |
| Campo bonde da divisão | 2-4 · 108 V/m | 2-4 · 108 V/m |
| Velocidade de tração da saturação | 2,0 · 105 m/s | 2,0 · 105 m/s |
| Mobilidade de elétron | 800 cm2/V·S | 400 cm2/V·S |
| mobilidade de furo | 115 cm2/V·S | 90 cm2/V·S |
| Dureza de Mohs | ~9 | ~9 |
* referência: Material avançado Co. de Xiamen Powerway, Ltd.
Comparação da propriedade de 3C-SiC, de 4H-SiC e de 6H-SiC:
| SIC Polytype | 3C-SiC | 4H-SiC | 6H-SiC |
| Estrutura de cristal | Blenda de zinco (cúbica) | Wurtzite (sextavado) | Wurtzite (sextavado) |
| Grupo de simetria | T2d-F43m | C46v-P63mc | C46v-P63mc |
| Módulo de maioria | cm2 de 2,5 x 1012 dyn | cm2 de 2,2 x 1012 dyn | cm2 de 2,2 x 1012 dyn |
| Coeficiente linear da expansão térmica | 2,77 (42) x 10-6 K-1 | ||
| Temperatura de Debye | K 1200 | K 1300 | K 1200 |
| Ponto de derretimento | 3103 (40) K | 3103 ± 40 K | 3103 ± 40 K |
| Densidade | 3,166 g cm-3 | 3,21 g cm-3 | 3,211 g cm-3 |
| Dureza | 9.2-9.3 | 9.2-9.3 | 9.2-9.3 |
| Microhardness de superfície | 2900-3100 quilogramas mm-2 | 2900-3100 quilogramas mm-2 | 2900-3100 quilogramas mm-2 |
| Constante dielétrica (estática) | ε0 ~= 9,72 | O valor da constante 6H-SiC dielétrica é usado geralmente | ε0, ~= 9,66 do ort |
| R.I. infravermelho | ~=2.55 | ~=2.55 (linha central de c) | ~=2.55 (linha central de c) |
| R.I. n (λ) | ~= 2,55378 + 3,417 x 104 de n (λ)·λ-2 | (λ) ~= n0 2,5610 + 3,4 x 104·λ-2 | (λ) ~= n0 2,55531 + 3,34 x 104·λ-2 |
| ~= 2,6041 + 3,75 x 104 do ne (λ)·λ-2 | ~= 2,5852 + 3,68 x 104 do ne (λ)·λ-2 | ||
| Coeficiente Radiative da recombinação | 1,5 x 10-12 cm3/s | 1,5 x 10-12 cm3/s | |
| Energia ótica do fotão | meV 102,8 | meV 104,2 | meV 104,2 |
| Massa de elétron eficaz ml (longitudinal) | 0.68mo | 0.677(15) mo | 0.29mo |
| Massa de elétron eficaz mt (transversal) | 0.25mo | 0.247(11) mo | 0.42mo |
| Massa eficaz da densidade do mcd dos estados | 0.72mo | 0.77mo | 2.34mo |
| Massa eficaz da densidade dos estados em um vale da faixa de condução mc | 0.35mo | 0.37mo | 0.71mo |
| Massa eficaz da condutibilidade CCM | 0.32mo | 0.36mo | 0.57mo |
| Massa eficaz do salão da densidade do estado milivolt? | 0,6 mo | ~1,0 mo | ~1,0 mo |
| Constante da estrutura | a=4.3596 A | a = 3,0730 A | a = 3,0730 A |
| b = 10,053 | b = 10,053 |
* referência: IOFFE
Sic referência do fabricante 4H e sic 6H: PAM-XIAMEN é o colaborador principal do mundo da tecnologia de circuito integrado da iluminação, ele oferece uma linha completa: De Sinlge do cristal bolacha sic e bolacha epitaxial e sic recuperação da bolacha
Divisão elétrica
A divisão elétrica do termo ou a divisão elétrica têm diversos significados similares mas distintamente diferentes. Por exemplo, o termo pode aplicar-se à falha de um circuito bonde. Alternativamente, pode referir uma redução rápida na resistência de um isolador bonde de que possa conduzir ao aspark saltar em torno ou através do isolador. Este pode ser um evento momentâneo (como em uma descarga eletrostática), ou pode conduzir a uma descarga do continuousarc se os dispositivos protetores não interrompem a corrente em um circuito de poder superior.
Há atualmente muito interesse em seu uso como um material do semicondutor na eletrônica, onde suas condutibilidade térmica alta, força alta da divisão do campo bonde e densidade atual máxima alta fazem mais prometedor do que o silicone para dispositivos potentes
Serviço
o serviço de consultadoria do telefone 7X24-hour está disponível.
A resposta e a solução serão fornecidas em 8 horas em cima do pedido do serviço de cliente.
O apoio pós-venda está disponível em uma base 7X24-hour, não deixando nenhuma preocupação para clientes.
Inspeção da qualidade da matéria prima à produção, e entrega.
Pessoa profissional do controle da qualidade, para evitar os produtos incompetentes que fluem ao cliente.
Inspeção restrita à matéria prima, à produção, e à entrega.
Série completa de equipamento no laboratório da qualidade.
Sobre nós
Aprimoramento contínuo, nível mais de alta qualidade procurando. Nossa equipe de vendas altamente dedicada nunca recuou longe de ir que milha extra encontrar e exceder as expectativas do cliente. Nós não tratamos nossos clientes com a mesmas lealdade e devoção, nenhuma matéria o tamanho de seu negócio ou indústria.
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Pureza alta da bolacha do fosforeto de índio do único cristal categoria de uma prima de 4 polegadas
