tipo sic Arcsec maioria FWHM de 6H N do crescimento de cristal <50 da categoria C 0001 do manequim da bolacha

Tipo sic bolacha de C (0001) 6H N, categoria do manequim, 10mm x 10mm

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PROPRIEDADES MATERIAIS DE CARBONETO DE SILICONE

tipo sic bolacha de 6H N, categoria do manequim, 10mm x 10mm

PAM-XIAMEN oferece bolachas do carboneto de silicone do semicondutor, 6H sic e 4H sic em categorias de qualidade diferentes para fabricantes do pesquisador e da indústria. Nós desenvolvemos a tecnologia do crescimento sic de cristal e a tecnologia de processamento da bolacha sic de cristal, estabelecidas uma linha de produção ao fabricante SiCsubstrate, que é aplicado em GaNepitaxydevice, em powerdevices, no dispositivo de alta temperatura e em dispositivos optoelectronic. Como uma empresa profissional investida pelos fabricantes principais dos campos de institutos materiais avançados e da alto-tecnologia da pesquisa e do estado e de laboratório do semicondutor de China, nós é devotada para melhorar continuamente atualmente a qualidade de carcaças e para desenvolver grandes carcaças do tamanho.

Crescimento sic de cristal

O crescimento de cristal maioria é a técnica para a fabricação de carcaças monocristalinas, fazendo a base para um processamento mais adicional do dispositivo. Para ter uma descoberta sic na tecnologia obviamente nós precisamos a produção sic de carcaça com um process.6H- reprodutível e os cristais 4H- são crescidos sic em uns cadinhos da grafite em altas temperaturas até 2100-2500°C. que a temperatura de funcionamento no cadinho é fornecida pelo aquecimento indutivo (RF) ou resistive. O crescimento ocorre sic em sementes finas. A fonte representa sic a carga policristalina do pó. Sic o vapor na câmara de crescimento consiste principalmente em três espécies, a saber, si, Si2C, e SiC2, que são diluídos pelo gás de portador, por exemplo, argônio. Sic a evolução da fonte inclui a variação de tempo da porosidade e do diâmetro do grânulo e o graphitization dos grânulo do pó.

Sistemas sic MicroElectromechanical (MEMS) e sensores

Para as aplicações que exigem a alta temperatura, a eletrônica do baixo-escapamento sic não possível com sic as camadas depositadas no silicone (que inclui transistor de alta temperatura, como discutido na seção 5.6.2), conceitos para integrar uma eletrônica muito mais capaz com o MEMS nas bolachas 4H/6H com epilayers foi proposta sic igualmente. Por exemplo, os sensores da pressão que estão sendo tornados para o uso em umas regiões mais altas da temperatura de motores de jato são executados em 6H-SiC, pela maior parte devido ao fato de que o baixo escapamento da junção está exigido para conseguir a operação apropriada do sensor. a Em-microplaqueta 4H/6H integrou a eletrônica do transistor que permite beneficamente o acondicionamento de sinal no local de detecção de alta temperatura está sendo tornada igualmente. Com todos os sensores micromecânico-baseados, é vital empacotar de um modo o sensor que minimiza a imposição dos esforços induzidos termomecânicos (que se levantam devido ao coeficiente da expansão térmica combinam mal sobre os períodos muito maiores da temperatura permitidos por sic) nos elementos de detecção. Consequentemente (como mencionado previamente na seção 5.5.6), o empacotamento avançado é quase tão crítico quanto o uso de sic para utilmente a expansão do envelope operacional de MEMS em ambientes ásperos.

Como discutido na seção 5.3.1, uma aplicação preliminar sic de sensores do áspero-ambiente é permitir a monitoração e o controle ativos de sistemas de motor da combustão de melhorar a eficácia do combustível ao reduzir a poluição. Para esta extremidade, as capacidades de alta temperatura do SIC permitiram a realização estruturas do sensor do gás do protótipo catalítico de metal-SIC e de metal-isolador-SIC com grande promessa para aplicações da monitoração da emissão e detecção de escape do sistema de combustível. A operação de alta temperatura destas estruturas, não possível com o silicone, permite a detecção rápida de mudanças no índice do hidrogênio e do hidrocarboneto às sensibilidades das partes por milhão nos sensores muito pequeno-feitos sob medida que poderiam facilmente ser colocados discretamente em um motor sem a necessidade para refrigerar. Contudo, umas melhorias mais adicionais à confiança, à reprodutibilidade, e ao custo de sensores SIC-baseados do gás são precisadas antes destes sistemas estarão prontas para uso difundido em automóveis e em aviões do consumidor. Geralmente, o mesmos podem ser ditos para o mais sic MEMS, que não conseguirá inserção benéfica difundida do sistema até que a confiança alta em ambientes ásperos esteja assegurada através de um desenvolvimento de tecnologia mais adicional.

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A responsabilidade é a segurança da qualidade, e a qualidade é a vida do corporaçõ. Nós estamos olhando para a frente à cooperação a longo prazo com os clientes, nós faremos o melhor serviço e após o serviço de vendas para todos nossos clientes. Se você tem qualquer inquérito, por favor não hesite contactar-nos. Nós respondê-lo-emos na primeira vez como nós podemos.

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