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| Lugar de origem: | China |
| Marca: | PAM-XIAMEN |
| Quantidade de ordem mínima: | 1-10,000pcs |
|---|---|
| Detalhes da embalagem: | Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, no único recipiente, sob uma atmosfer |
| Tempo de entrega: | 5-50 dias de trabalho |
| Termos de pagamento: | T/T. |
| Habilidade da fonte: | 10.000 bolachas/mês |
| Nome do produto: | bolacha do gaas | Bolacha Diamter: | 6 polegadas |
|---|---|---|---|
| Tipo da condução: | Semi-isolamento | Grau: | Categoria mecânica |
| Uso: | Microeletrônica | Palavra-chave: | Bolacha do arsenieto de gálio |
| Realçar: | n type silicon wafer,p type silicon wafer |
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Semi-isolando, carcaça do arsenieto de gálio, 6", categoria mecânica
(6 bolachas do arsenieto de gálio do ″ (150mm) (GaAs), Semi-isolando para aplicações da microeletrônica
| Artigo | Especificações | Observações |
| Tipo da condução |
Semi-isolamento |
|
| Método do crescimento | VGF | |
| Entorpecente | Undoped | |
| Tipo | N | |
| Diamater (milímetros) | 150±0.25 | |
| Orientação |
(100) 0°±3.0° |
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| Orientação do ENTALHE | (010) ±2° | |
| ENTALHE Deepth (milímetros) | (1-1.25) milímetros 89°-95° | |
| Concentração de portador |
N/A |
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| Resistividade (ohm.cm | >1.0×107 ou 0.8-9 x10-3 | |
| Mobilidade (cm2/v.s) | N/A | |
| Deslocação |
N/A |
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| Espessura (µm) |
675±25 |
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| Exclusão da borda para a curva e a urdidura (milímetro) | N/A | |
| Curva (µm) | N/A | |
| Urdidura (µm) |
≤20.0 |
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| TTV (µm) | ≤10.0 | |
| TIR (µm) | ≤10.0 | |
| LFPD (µm) |
N/A |
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| Polonês | P/P Epi-pronto |
Propriedades do cristal do GaAs
| Propriedades | GaAs |
| Atoms/cm3 | 4,42 x 1022 |
| Peso atômico | 144,63 |
| Campo da divisão | aproximadamente 4 x 105 |
| Estrutura de cristal | Zincblende |
| Densidade (g/cm3) | 5,32 |
| Constante dielétrica | 13,1 |
| Densidade eficaz dos estados na faixa de condução, Nc (cm-3) | 4,7 x 1017 |
| Densidade eficaz dos estados na faixa do Valence, nanovolt (cm-3) | 7,0 x 1018 |
| Afinidade de elétron (v) | 4,07 |
| Energia Gap em 300K (eV) | 1,424 |
| Concentração de portador intrínseco (cm-3) | 1,79 x 106 |
| Comprimento de Debye intrínseco (mícrons) | 2250 |
| Resistividade intrínseca (ohm-cm) | 108 |
| Constante da estrutura (ångströms) | 5,6533 |
| Coeficiente linear da expansão térmica, | 6,86 x 10-6 |
| ΔL/L/ΔT (1 DEG C) | |
| Ponto de derretimento (DEG C) | 1238 |
| Vida do portador de minoria (s) | aproximadamente 10-8 |
| Mobilidade (tração) | 8500 |
| (cm2 de /V-s) | |
| µn, elétrons | |
| Mobilidade (tração) | 400 |
| (cm2 de /V-s) | |
| µp, furos | |
| Energia ótica (eV) do fonão | 0,035 |
| Trajeto livre médio do fonão (ångströms) | 58 |
| Calor específico | 0,35 |
| (J/g-deg C) | |
| Condutibilidade térmica em 300 K | 0,46 |
| (W/cm-degC) | |
| Diffusivity térmico (cm2/segundo) | 0,24 |
| Pressão de vapor (Pa) | 100 em 1050 DEG C; |
| 1 em 900 DEG C |
Que é bolacha do GaAs?
A bolacha do GaAs é um material importante do semiconducor. Pertence para agrupar o semicondutor de composto de III-V. É um tipo estrutura do sphalerite de estrutura com uma constante da estrutura de 5.65x 10-10m, um ponto de derretimento do ℃ 1237 e uma diferença de faixa de 1,4 EV. O arsenieto de gálio pode ser feito semi em isolar materiais altos da resistência com resistividade mais altamente do que o silicone e o germânio por mais de três ordens de grandeza, que podem ser usados para fazer a carcaça do circuito integrado, o detector infravermelho, o detector do fotão do γ, etc. Porque sua mobilidade de elétron é 5-6 cronometra maior do que isso do silicone, foi amplamente utilizada em dispositivos da micro-ondas e em circuitos digitais de alta velocidade. O dispositivo de semicondutor feito do GaAs tem as vantagens da resistência da alta frequência, a de alta temperatura e a baixa de temperatura, de baixo nível de ruído e forte de radiação. Além, pode igualmente ser usado para fazer dispositivos do efeito de maioria.
Que é as propriedades mecânicas, constantes elásticas, vibrações da estrutura da bolacha do GaAs?
| Módulo de maioria | 7,53·cm2 de 1011 dyn |
| Densidade | 5,317 g cm-3 |
| Dureza na escala de Mohs | entre 4 e 5 |
| Microhardness de superfície (que usa o teste da pirâmide de Knoop) | 750 quilogramas mm-2 |
| Plano da segmentação | {110} |
| Constante piezoelétrica | e14=-0.16 C m-2 |
C11=11.90·1011 dyn/cm2
C12=5.34·1011 dyn/cm2
C44=5.96·1011 dyn/cm2
 |
Dependências da temperatura das constantes elásticas. Para 0 C12= 5,46 - 0,64·10-3T C44= 6,16 - 0,70·10-3T |
| Módulo de maioria (compressibility-1) | Bs= 7,53·1011dyn/cm2 |
| Módulo da tesoura | C'= 3,285·1011dyn/cm2 |
| [100] módulo Young | Yo= 8,59·1011dyn/cm2 |
| [100] relação de Poisson | σo = 0,31 |
| Onda propagação Sentido |
Onda caráter |
Expressão para a velocidade da onda | Velocidade da onda (nas unidades de 105 cm/s) |
| [100] | VL | (C11/ρ) 1/2 | 4,73 |
| VT | (C44/ρ) 1/2 | 3,35 | |
| [110] | Vl | [(C11+Cl2+2C44)/2ρ] 1/2 | 5,24 |
| Vt|| | Vt||=VT= (C44/ρ) 1/2 | 3,35 | |
| Vt⊥ | [(C11-C12)/2ρ] 1/2 | 2,48 | |
| [111] | Vl | [(C11+2C12+4C44)/3ρ] 1/2 | 5,4 |
| Vt | [(C11-C12+C44)/3ρ] 1/2 | 2,8 |
(nas unidades de 1012 hertz)
| νTO (Γ) | 8,02 | νLO (X) | 7,22 |
| νLO (Γ) | 8,55 | νTA (L) | 1,86 |
| νTA (X) | 2,36 | νLA (L) | 6,26 |
| νLA (X) | 6,80 | νTO (L) | 7,84 |
| νTO (X) | 7,56 | νLO (L) | 7,15 |
Serviço
o serviço de consultadoria do telefone 7X24-hour está disponível.
A resposta e a solução serão fornecidas em 8 horas em cima do pedido do serviço de cliente.
O apoio pós-venda está disponível em uma base 7X24-hour, não deixando nenhuma preocupação para clientes.
Inspeção da qualidade da matéria prima à produção, e entrega.
Pessoa profissional do controle da qualidade, para evitar os produtos incompetentes que fluem ao cliente.
Inspeção restrita à matéria prima, à produção, e à entrega.
Série completa de equipamento no laboratório da qualidade.
Sobre nós
Aprimoramento contínuo, nível mais de alta qualidade procurando. Nossa equipe de vendas altamente dedicada nunca recuou longe de ir que milha extra encontrar e exceder as expectativas do cliente. Nós não tratamos nossos clientes com a mesmas lealdade e devoção, nenhuma matéria o tamanho de seu negócio ou indústria.
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Pureza alta da bolacha do fosforeto de índio do único cristal categoria de uma prima de 4 polegadas