Lugar de origem: | China |
Marca: | PAM-XIAMEN |
Quantidade de ordem mínima: | 1-10,000pcs |
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Detalhes da embalagem: | Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, no único recipiente, sob uma atmosfer |
Tempo de entrega: | 5-50 dias de trabalho |
Termos de pagamento: | T/T. |
Habilidade da fonte: | 10.000 bolachas/mês |
Nome do produto: | Bolacha principal de InAs da categoria | Tipo da condução: | Tipo de P |
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Espessura da bolacha: | 900±25um | Bolacha Diamter: | 4 polegadas |
Grau: | Categoria principal | Palavra-chave: | Bolacha de InAs do arsenieto do índio |
EPD: | <3x104cm-2> | curva: | <15um> |
Realçar: | n type wafer,3 inch wafer |
P datilografa, a bolacha de InAs (arsenieto do índio), 4", categoria principal
4" especificação da bolacha de InAs
Artigo | Especificações |
Entorpecente | Zinco |
Tipo da condução | P-tipo |
Diâmetro da bolacha | 4" |
Orientação da bolacha | (100) ±0.5° |
Espessura da bolacha | 900±25um |
Comprimento liso preliminar | 16±2mm |
Comprimento liso secundário | 8±1mm |
Concentração de portador | (1-10) x1017cm-3 |
Mobilidade | 100-400cm2/V.s |
EPD | <3x10>4cm-2 |
TTV | <15um> |
CURVA | <15um> |
URDIDURA | <20um> |
Marcação do laser | mediante solicitação |
Revestimento de Suface | P/E, P/P |
Epi pronto | sim |
Pacote | Única recipiente ou gaveta da bolacha |
Módulo de maioria | 5,8·cm2 de 1011 dyn |
Ponto de derretimento | °C 942 |
Calor específico | 0,25 J g-1 °C-1 |
Condutibilidade térmica | 0,27 W cm-1 °C-1 |
Diffusivity térmico | 0,19 cm2s-1 |
Expansão térmica, linear | 4,52·10-6 °C-1 |
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Dependência da temperatura do coeficiente linear da expansão (baixa temperatura) |
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Dependência da temperatura do coeficiente linear da expansão (alta temperatura) |
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Dependências da temperatura do coeficiente de Nernst (efeito transversal de Nernst-Ettinghausen) Concentração do elétron em 77K nenhum (cm-3): 1. 2,96·1016; 2. 4,46·1016; 3. 8,43·1016; 4. 4,53·1017; 5. 1,56·1018; 6. 2,28·1018; 7. 5·1018; 8. 1,68·1019. |
Ponto de derretimento TM = K. 1215.
Pressão de vapor saturado (nos Pascal):
para 950 K - 2·10-3,
para 1000 K - 10-2,
para 1050 K - 10-1.
Módulo de maioria | 5,8·cm2 de 1011 dyn |
Ponto de derretimento | °C 942 |
Calor específico | 0,25 J g-1 °C-1 |
Condutibilidade térmica | 0,27 W cm-1 °C-1 |
Diffusivity térmico | 0,19 cm2s-1 |
Expansão térmica, linear | 4,52·10-6 °C-1 |
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Dependência da temperatura da condutibilidade térmica.
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Dependências da temperatura da condutibilidade térmica para altas temperaturas Concentração do elétron nenhum (cm-3): 1. 5·1016; 2. 2·1016; 3. 3·1016. |
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Dependência da temperatura do calor específico na pressão constante |
Para 298K < T="">
Cp= 0,240 + 3,97·10-5·T (J g-1°C -1).
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Dependência da temperatura do coeficiente linear da expansão (baixa temperatura) |
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Dependência da temperatura do coeficiente linear da expansão (alta temperatura) |
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Dependências da temperatura do coeficiente de Nernst (efeito transversal de Nernst-Ettinghausen) Concentração do elétron em 77K nenhum (cm-3): 1. 2,96·1016; 2. 4,46·1016; 3. 8,43·1016; 4. 4,53·1017; 5. 1,56·1018; 6. 2,28·1018; 7. 5·1018; 8. 1,68·1019. |
Ponto de derretimento TM = K. 1215.
Pressão de vapor saturado (nos Pascal):
para 950 K - 2·10-3,
para 1000 K - 10-2,
para 1050 K - 10-1.
Sobre nós
Aprimoramento contínuo, nível mais de alta qualidade procurando. Nossa equipe de vendas altamente dedicada nunca recuou longe de ir que milha extra encontrar e exceder as expectativas do cliente. Nós não tratamos nossos clientes com a mesmas lealdade e devoção, nenhuma matéria o tamanho de seu negócio ou indústria.
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Pureza alta da bolacha do fosforeto de índio do único cristal categoria de uma prima de 4 polegadas