Tipo bolacha pronta da bolacha P do fosforeto de índio de 4 polegadas do InP Epi da categoria do teste

P datilografa, a bolacha do fosforeto de índio, 4", categoria do teste - fabricação da bolacha do InP
 
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P datilografa, a bolacha do fosforeto de índio, 4", categoria do teste

Fatos do fosforeto de índio

• Peso molecular: 145,792 g/mol
• Ponto de derretimento: °C 1062 (°F) 1943,6
• Pode ser usado para virtualmente todo o dispositivo eletrónico que exigir a alta velocidade ou o poder superior.
• Tem um dos fonão óticos longo-vividos do composto com a estrutura de cristal do zincblende.
• O InP é o material o mais importante para a geração de sinais do laser e da detecção e a conversão daqueles sinais de volta ao formulário eletrônico.
• O fosforeto de índio (InP) inclui o fósforo e o índio e é um semicondutor binário.
• Tem uma estrutura de cristal do zincblende similar a GaAs e a quase todos os semicondutores de III-V.

	Coloque as dependências da velocidade de tração do elétron no InP, 300 K. A curva contínua é cálculo teórico. A curva precipitada e pontilhada é dados medidos. (Maloney e Frey [1977]) e (  de Gonzalez Sánchez e outros [1992]).
	As dependências do campo da velocidade de tração do elétron para campos bondes altos. T (K): 1. 95; 2. 300; 3. 400. (  do   de Windhorn e outros [1983]).
	Coloque dependências da velocidade de tração do elétron em temperaturas diferentes. Curve 1 -77 K (  do   de Gonzalez Sánchez e outros [1992]). Curva 2 - 300 K, curve 3 - 500 K (Fawcett e Monte [1975]).
	Temperatura do elétron contra o campo bonde para 77 K e 300 K. (Maloney e Frey [1977])
	Fração dos elétrons nos vales nL/no e nX/no em função do campo bonde, 300 K. de L e de X. (Borodovskii e Osadchii [1987]).
	Dependência da frequência do η da eficiência no início (linha contínua) e no segundo (harmônico da linha tracejada) no modo do LSA. Simulação de Monte - de Carlo. F = FO + F1·pecado (2π·ft) + F2·[pecado (4π·ft) +3π/2], Fo=F1=35 quilovolt cm-1, F2=10.5 quilovolt cm-1 (Borodovskii e Osadchii [1987]).
	Longitudinal (D || F) e transversal (coeficientes de difusão do elétron do ⊥ de D F) em 300 K. Conjunto Monte - simulação de Carlo. (Aishima e Fukushima [1983]).
	Longitudinal (D || F) e transversal (coeficientes de difusão do elétron do ⊥ de D F) em 77K. Conjunto Monte - simulação de Carlo. (Aishima e Fukushima [1983]).

As aplicações são:

• Conexões às estações base 3G, LTE e 5G sem fio
• Uma comunicação satélite de espaço livre
• Conexões de fibra ótica do longo-curso sobre a grande distância até 5000 quilômetros tipicamente >10 Tbit/s
• Redes do acesso do anel do metro

Telecomunicações/aplicação do Datacom

O fosforeto de índio (InP) é usado para produzir lasers eficientes, fotodetector sensíveis e moduladores na janela do comprimento de onda usada tipicamente para telecomunicações, isto é, 1550 comprimentos de onda do nanômetro, porque é um material direto do semicondutor de composto do bandgap III-V. O comprimento de onda entre aproximadamente 1510 nanômetro e 1600 nanômetro tem a mais baixa atenuação disponível na fibra ótica (aproximadamente 0,26 dB/km). O InP é um material de uso geral para a geração de sinais do laser e da detecção e a conversão daqueles sinais de volta ao formulário eletrônico. Os diâmetros da bolacha variam de 2-4 polegadas.

Serviço

o serviço de consultadoria do telefone 7X24-hour está disponível.

A resposta e a solução serão fornecidas em 8 horas em cima do pedido do serviço de cliente.

O apoio pós-venda está disponível em uma base 7X24-hour, não deixando nenhuma preocupação para clientes.

Inspeção da qualidade da matéria prima à produção, e entrega.

Pessoa profissional do controle da qualidade, para evitar os produtos incompetentes que fluem ao cliente.

Inspeção restrita à matéria prima, à produção, e à entrega.

Série completa de equipamento no laboratório da qualidade.