Pureza alta da bolacha do fosforeto de índio do único cristal categoria de uma prima de 4 polegadas

P datilografa, a bolacha do fosforeto de índio do único cristal de pureza alta, 4", categoria principal

 

Que é bolacha do InP?

O fosforeto de índio é um similar material semiconducting ao GaAs e ao silicone mas é muito um produto de ameia. É muito eficaz em desenvolver o processamento muito de alta velocidade e é mais caro do que o GaAs devido aos grandes comprimentos recolher e desenvolver os ingredientes. Deixe-nos olhar um pouco mais de fatos sobre o fosforeto de índio como se refere uma bolacha do InP.

P datilografa, a bolacha do fosforeto de índio, 4", categoria principal

Propriedades de transporte em campos bondes altos

	Coloque as dependências da velocidade de tração do elétron no InP, 300 K. A curva contínua é cálculo teórico. A curva precipitada e pontilhada é dados medidos. (Maloney e Frey [1977]) e (  de Gonzalez Sánchez e outros [1992]).
	As dependências do campo da velocidade de tração do elétron para campos bondes altos. T (K): 1. 95; 2. 300; 3. 400. (  do   de Windhorn e outros [1983]).
	Coloque dependências da velocidade de tração do elétron em temperaturas diferentes. Curve 1 -77 K (  do   de Gonzalez Sánchez e outros [1992]). Curva 2 - 300 K, curve 3 - 500 K (Fawcett e Monte [1975]).
	Temperatura do elétron contra o campo bonde para 77 K e 300 K. (Maloney e Frey [1977])
	Fração dos elétrons nos vales nL/no e nX/no em função do campo bonde, 300 K. de L e de X. (Borodovskii e Osadchii [1987]).
	Dependência da frequência do η da eficiência no início (linha contínua) e no segundo (harmônico da linha tracejada) no modo do LSA. Simulação de Monte - de Carlo. F = FO + F1·pecado (2π·ft) + F2·[pecado (4π·ft) +3π/2], Fo=F1=35 quilovolt cm-1, F2=10.5 quilovolt cm-1 (Borodovskii e Osadchii [1987]).
	Longitudinal (D || F) e transversal (coeficientes de difusão do elétron do ⊥ de D F) em 300 K. Conjunto Monte - simulação de Carlo. (Aishima e Fukushima [1983]).
	Longitudinal (D || F) e transversal (coeficientes de difusão do elétron do ⊥ de D F) em 77K. Conjunto Monte - simulação de Carlo. (Aishima e Fukushima [1983]).

Aplicações Optoelectronic

O InP baseou lasers e o diodo emissor de luz pode emitir-se a luz na escala muito larga de 1200 nanômetro até o µm 12. Esta luz é usada para aplicações baseadas fibra das telecomunicações e do Datacom em todas as áreas do mundo digitalised. A luz é usada igualmente detectando aplicações. Em uma mão há as aplicações espectroscópicas, onde um determinado comprimento de onda é precisado de interagir com a matéria para detectar gás altamente diluídos por exemplo. O terahertz Optoelectronic é usado em analisadores espectroscópicas ultrassensíveis, medidas da espessura dos polímeros e para a detecção de revestimentos multilayer na indústria automóvel. Por outro lado há um benefício enorme de lasers específicos do InP porque são cofre forte do olho. A radiação é absorvida no corpo vítreo do olho humano e não pode prejudicar a retina. Os lasers do InP no lidar (detecção clara e agrupamento) serão um componente-chave para a mobilidade do futuro e da indústria da automatização.

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