Lugar de origem: | China |
Marca: | PAM-XIAMEN |
Quantidade de ordem mínima: | 1-10,000pcs |
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Detalhes da embalagem: | Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, no único recipiente, sob uma atmosfer |
Tempo de entrega: | 5-50 dias de trabalho |
Termos de pagamento: | T/T. |
Habilidade da fonte: | 10.000 bolachas/mês |
Nome do produto: | bolacha do fosforeto de índio do único cristal | Bolacha Diamter: | 4 polegadas |
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Tipo da condução: | Semi isolando | Grau: | Teste a categoria |
Palavra-chave: | bolacha do inp | Aplicação: | 600±25um |
TTV: | <15um> | curva: | <15um> |
Realçar: | test grade wafer,epi ready wafer |
Semi-isolando, a carcaça Fe-lubrificada do fosforeto de índio, 4", testa a categoria
Semi-isolando, a carcaça do fosforeto de índio, 4", testa a categoria
4" especificação da bolacha do InP | ||||
Artigo | Especificações | |||
Tipo da condução | Si-tipo | |||
Entorpecente | Ferro | |||
Diâmetro da bolacha | 4" | |||
Orientação da bolacha | 100±0.5° | |||
Espessura da bolacha | 600±25um | |||
Comprimento liso preliminar | 16±2mm | |||
Comprimento liso secundário | 8±1mm | |||
Concentração de portador | ≤3x1016cm-3 | (0.8-6) x1018cm-3 | (0.6-6) x1018cm-3 | N/A |
Mobilidade | (3.5-4) x103cm2/V.s | (1.5-3.5) x103cm2/V.s | 50-70cm2/V.s | >1000cm2/V.s |
Resistividade | N/A | N/A | N/A | >0.5x107Ω.cm |
EPD | <1000cm>-2 | <1x10>3cm-2 | <1x10>3cm-2 | <5x10>3cm-2 |
TTV | <15um> | |||
CURVA | <15um> | |||
URDIDURA | <15um> | |||
Marcação do laser | mediante solicitação | |||
Revestimento de Suface | P/E, P/P | |||
Epi pronto | sim | |||
Pacote | Única recipiente ou gaveta da bolacha |
PAM-XIAMEN fabrica bolachas do fosforeto de índio do único cristal de pureza alta para aplicações da ótica electrónica. Nossos diâmetros padrão da bolacha variam de 25,4 milímetros (1 polegada) a 200 milímetros (6 polegadas) em tamanho; as bolachas podem ser produzidas em várias espessuras e orientações com lados lustrados ou unpolished e podem incluir entorpecentes. PAM-XIAMEN pode produzir categorias da vasta gama: categoria principal, categoria do teste, categoria do manequim, categoria técnica, e categoria ótica. PAM-XIAMEN igualmente oferecem materiais às especificações do cliente pelo pedido, além do que composições feitas sob encomenda para aplicações do anúncio publicitário e da pesquisa e tecnologias proprietárias novas.
Proteção ambiental apontando de detecção espectroscópica e identificação de substâncias perigosas
• Um campo crescente está detectando baseou no regime do comprimento de onda do InP. Um exemplo para a espectroscopia do gás é equipamento de teste da movimentação com medida do tempo real de (CO, CO2, NOX [ou NENHUM + NO2]).
• Verificação rápida dos traços de substâncias tóxicas nos gás e nos líquidos (que incluem o água da torneira) ou das contaminações de superfície para baixo ao nível do ppb.
• Espectroscopia para o controle de produto não-destrutivo por exemplo do alimento (detecção atempada de gêneros alimentícios estragados)
• A espectroscopia para muitas aplicações novas, no controle de poluição do ar está sendo discutida especialmente hoje e as aplicações estão na maneira.
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A mobilidade de salão do elétron contra a temperatura para a lubrificação diferente nivela. Curva inferior - no=Nd-Na=8·1017 cm-3; Curva média - no=2·1015 cm-3; Curva superior - no=3·1013 cm-3. (Razeghi e outros [1988]) e ( de Walukiewicz e outros [1980]). |
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Mobilidade de salão do elétron contra a temperatura (altas temperaturas): Curva inferior - no=Nd-Na~3·1017 cm-3; Curva média - no~1.5·1016 cm-3; Curva superior - no~3·1015 cm-3. (Galavanov e Siukaev [1970]). |
µn = (4.2÷5.4)·103·(300/T) (cm2V-1 s-1)
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Mobilidade de salão contra a concentração do elétron para relações diferentes da compensação. θ = Na/Nd, 77 K. As curvas tracejadas são cálculos teóricos: 1. θ = 0; 2. θ = 0,2; 3. θ = 0,4; 4. θ = 0,6; 5. θ = 0,8; ( do de Walukiewicz e outros [1980]). A linha contínua é valores observados do meio ( do de Anderson e outros [1985]). |
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Mobilidade de salão contra a concentração do elétron para relações diferentes da compensação θ =Na/Nd, 300 K. As curvas tracejadas são cálculos teóricos: 1. θ = 0; 2. θ = 0,2; 3. θ = 0,4; 4. θ = 0,6; 5. θ = 0,8; ( do de Walukiewicz e outros [1980]). A linha contínua é valores observados do meio ( do de Anderson e outros [1985]). |
Μ=ΜOH/[1+ (Nd/107) 1/2],
onde ΜOH=5000 cm2V-1 s-1,
Nd em cm-3 (Hilsum [1974])
Em 300 K, o fator rn≈1 de Salão do elétron no n-InP.
para Nd > 1015 cm-3.
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Fure a mobilidade de salão contra a temperatura para níveis de lubrificação diferentes (do Zn). Concentração de furo em 300 K: 1. 1,75·1018 cm-3; 2. 3,6·1017 cm-3; 3. 4,4·1016 cm-3. θ=Na/Nd~0.1. ( do de Kohanyuk e outros [1988]). |
µpH~150·(300/T) 2,2 (cm2V-1 s-1).
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Mobilidade de salão do furo contra a densidade do furo, 300 K (Wiley [1975]). A fórmula aproximada para a mobilidade de salão do furo: µp=µpo/[1 + (Na/2·1017) 1/2], onde µpo~150 cm2V-1 s-1, Na em cm-3 |
Em 300 K, o fator do furo no p-InP puro: rp~1
PAM-XIAMEN é seu ir-ao lugar para tudo bolachas, incluindo bolachas do InP, como nós o temos feito por quase 30 anos! Inquira-nos hoje para aprender mais sobre as bolachas que nós oferecemos e como nós podemos o ajudar com seu projeto seguinte. Nossa equipe do grupo está olhando para a frente a proporcionar produtos de qualidade e o serviço excelente para você!
Pureza alta da bolacha do fosforeto de índio do único cristal categoria de uma prima de 4 polegadas